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| Artikelnummer: | EPC8009 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | GANFET N-CH 65V 4A DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.1313 |
| 200+ | $1.5996 |
| 500+ | $1.5426 |
| 1000+ | $1.5147 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | Die |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 52 pF @ 32.5 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.45 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 65 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4A (Ta) |
| EPC8009 Einzelheiten PDF [English] | EPC8009 PDF - EN.pdf |




EPC8009
EPC (Efficient Power Conversion) ist ein autorisierter Distributor für Galliumnitrid-(GaN)-Leistungstransistoren und integrierte Schaltkreise. Y-IC ist ein offizieller Händler von EPC-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der EPC8009 ist ein Hochleistungs-Galliumnitrid-(GaN)-Feld-Effekttransistor (FET) im Enhancement-Modus mit kleiner Chipgröße. Er ist für eine Vielzahl von Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen konzipiert, einschließlich DC-DC-Wandler, Class-D-Audioverstärker und RF-Leistungsverstärker.
N-Kanal GaNFET-Technologie
65V Drain-Source-Spannung
4A Dauer-Dauchstrom
Maximaler On-Widerstand von 130 mΩ
Maximaler Gate-Ladung von 0,45 nC
Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 150°C
Kompaktere Bauform und geringere parasitäre Elemente im Vergleich zu Silizium-MOSFETs
Höhere Effizienz und schnellere Schaltgeschwindigkeit
Geringere Leistungsabgabe und verbesserte thermische Performance
Ermöglicht kompaktere und hochdichte Leistungsumwandlungsdesigns
Der EPC8009 ist in Tape & Reel (TR) Verpackung erhältlich. Es handelt sich um ein Bare Die Produkt ohne Gehäuse.
Der EPC8009 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den EPC2053 und EPC2106. Kunden werden empfohlen, sich via der Y-IC-Website mit unserem Vertriebsteam in Verbindung zu setzen, um verfügbare Optionen zu erfragen.
DC-DC-Wandler
Class-D-Audioverstärker
RF-Leistungsverstärker
Motorantriebe
Drahtlose Energieübertragung
Leistungsfaktor-Korrektur
Das maßgebliche Datenblatt für den EPC8009 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um die neuesten Produktspezifikationen und Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den EPC8009 auf der Y-IC-Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und andere GaN-Lösungen von EPC.
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GANFET N-CH 65V 2A DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
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GANFET N-CH 40V 4A DIE
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