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| Artikelnummer: | EPC8005ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $14.4408 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 29pF @ 32.5V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 275 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Teilstatus | Active |
| Andere Namen | 917-EPC8005ENGR EPC8005ENGH |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8005ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.22nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 2.9A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8005ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8005ENGR PDF - EN.pdf |




TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
GANFET N-CH 100V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GANFET N-CH 65V 2A DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
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