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| Artikelnummer: | EPC8004ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 45pF @ 20V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 125 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Teilstatus | Obsolete |
| Andere Namen | 917-EPC8004ENGR EPC8004ENGA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8004ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.36nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 40V 4.4A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8004ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8004ENGR PDF - EN.pdf |




TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
GANFET N-CH 65V 2A DIE
GANFET N-CH 100V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GANFET N-CH 40V 4A DIE
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
GANFET N-CH 65V 4A DIE
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