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| Artikelnummer: | EPC8009ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 47pF @ 32.5V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 138 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Teilstatus | Obsolete |
| Andere Namen | 917-EPC8009ENGR EPC8009ENGG |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8009ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.38nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 4.1A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8009ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8009ENGR PDF - EN.pdf |




TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
IC CONFIG DEVICE
GANFET N-CH 65V 4A DIE
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GANFET N-CH 65V 2A DIE
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