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| Artikelnummer: | EPC7020GC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC Space, LLC |
| Teil der Beschreibung.: | GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $304.8931 |
| 10+ | $292.0077 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Supplier Device-Gehäuse | 5-SMD |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 30A, 5V |
| Verlustleistung (max) | - |
| Verpackung / Gehäuse | 5-SMD, No Lead |
| Paket | Bulk |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1313 pF @ 100 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |




TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
GANFET N-CH 65V 2A DIE
IC OUTPUT DRIVER
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
IC TOF IMAGER 320X240
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
GANFET N-CH 65V 4A DIE
IC OUTPUT DRIVER
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Zielpreis (USD)
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