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| Artikelnummer: | EPC8010ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $15.4811 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 55pF @ 50V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 160 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7A (Ta) |
| Polarisation | - |
| Teilstatus | Active |
| Andere Namen | 917-EPC8010ENGR EPC8010ENGJ |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8010ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.48nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8010ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8010ENGR PDF - EN.pdf |




IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
GANFET N-CH 65V 4A DIE
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
BOARD DEV FOR EPC2001C 100V
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
IC CONFIG DEVICE 8MBIT 100QFP
GANFET N-CH 100V 4A DIE
TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 4A DIE
IC CONFIG DEVICE
TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
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