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| Artikelnummer: | EPC8003ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $14.6223 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 38pF @ 50V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 300 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Teilstatus | Active |
| Andere Namen | 917-EPC8003ENGR EPC8003ENGK |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8003ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.32nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8003ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8003ENGR PDF - EN.pdf |




GANFET N-CH 40V 4A DIE
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GANFET N-CH 65V 2A DIE
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GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
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TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
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TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
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