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| Artikelnummer: | EPC8002ENGR |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | EPC |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 100+ | $14.5747 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Prüfung | 21pF @ 32.5V |
| Spannung - Durchschlag | Die |
| VGS (th) (Max) @ Id | 530 mOhm @ 500mA, 5V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Standardpaket | 10 |
| Serie | eGaN® |
| RoHS Status | Tray |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2A (Ta) |
| Polarisation | Die |
| Teilstatus | Active |
| Andere Namen | 917-EPC8002ENGR EPC8002ENGI |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Hersteller-Teilenummer | EPC8002ENGR |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 0.14nC @ 5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 250µA |
| FET-Merkmal | N-Channel |
| Expanded Beschreibung | N-Channel 65V 2A (Ta) Surface Mount Die |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
| Beschreibung | TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 65V |
| Kapazitätsverhältnis | - |
| EPC8002ENGR Einzelheiten PDF [English] | EPC8002ENGR PDF - EN.pdf |




GANFET N-CH 100V 4A DIE
GANFET N-CH 65V 2A DIE
TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
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GANFET N-CH 65V 4A DIE
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
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GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
GANFET N-CH 40V 4A DIE
TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
IC OUTPUT DRIVER
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GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
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