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| Artikelnummer: | GPA025A120MN-ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | SemiQ |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT 1200V 50A 312W TO3PN |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 1200 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 25A |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 57ns/240ns |
| Schaltenergie | 4.15mJ (on), 870µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PN |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 480 ns |
| Leistung - max | 312 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | NPT and Trench |
| Gate-Ladung | 350 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 75 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50 A |
| GPA025A120MN-ND Einzelheiten PDF [English] | GPA025A120MN-ND PDF - EN.pdf |




GPA025A120MN-ND
Y-IC ist ein hochwertiger Vertriebspartner von SemiQ-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der GPA025A120MN-ND ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von SemiQ, einem führenden Hersteller von Leistungshalbleitern.
NPTund Trench-IGBT-Design
Sperrspannung von 1200 V zwischen Kollektor und Emitter
Maximaler Kollektorenstrom von 50 A
Maximaler Pulsenenkstrom von 75 A
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 2,5 V
Hohe Leistungsfähigkeit
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige und langlebige Leistung
TO-3P-3, SC-65-3 Gehäuse
Durchkontaktierte Montage
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Dieses Produkt ist veraltet
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Das autoritativste Datenblatt für den GPA025A120MN-ND ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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