SemiQ GPA040A120L-FD

Herstellerteilenummer

GPA040A120L-FD

Hersteller

SemiQ (Y-IC ist ein qualitativ hochwertiger Distributor der Marke SemiQ und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen)

Detaillierte Beschreibung

Der GPA040A120L-FD ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in einem TO-264-3, TO-264AA Gehäuse. Es handelt sich um einen Gartenfeld-Stopp-IGBT, der für Hochleistungs- und Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

Trench Field Stop IGBT-Technologie

Spannung – Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200 V

Strom – Kollektor (Ic) (max.): 80 A

Puls-Strom – Kollektor (Icm): 120 A

Vce(on) (max.) @ Vge, Ic: 2,6 V @ 15 V, 40 A

Max. Leistung: 480 W

Schaltenergie: 5,3 mJ (ein), 1,1 mJ (aus)

Gate-Ladung: 480 nC

Td (ein/aus) @ 25°C: 55 ns / 200 ns

Reverse Recovery Time (trr): 200 ns

Betriebstemperatur: -55 °C bis 150 °C (TJ)

Wichtigste Vorteile

Effiziente und zuverlässige Hochleistungs-Schaltleistung

Hervorragende Schaltcharakteristika für Hochfrequenzanwendungen

Kompaktes und robustes TO-264-Gehäusedesign

Breiter Betriebstemperaturbereich

Verpackung

Gehäuse / Case: TO-264-3, TO-264AA

Lieferanten-Gehäuse: TO-264

Lebenszyklus

Der GPA040A120L-FD ist ein veraltetes Produkt. Kunden wird geraten, unseren Vertrieb über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Induktionsheizung

Schaltnetzteile

Motorsteuerungen

Schweißgeräte

Industrielle Automatisierung und Steuerung

Datenblatt

Das wichtigste Datenblatt für den GPA040A120L-FD ist auf unserer Webseite erhältlich. Kunden wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.

Jetzt Angebot anfordern

Kunden wird empfohlen, Angebote für den GPA040A120L-FD oder alternative Produkte auf unserer Webseite einzuholen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über unsere verfügbaren Lösungen.