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| Artikelnummer: | SPB100N06S2L-05 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7530 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB100N |
| SPB100N06S2L-05 Einzelheiten PDF [English] | SPB100N06S2L-05 PDF - EN.pdf |




SPB100N06S2L-05
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke Infineon Technologies. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SPB100N06S2L-05 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET der OptiMOS™-Serie von Infineon Technologies. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik und Motorsteuerung konzipiert.
N-Kanal-MOSFET
55V Drain-Source-Spannung
100A Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand von 4,4 mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Robustes und zuverlässiges Design
Sehr effiziente Stromumwandlung
Erhöhte Systemzuverlässigkeit
Geringeres Systemgewicht und Kosten
Geeignet für verschiedene Leistungsanwendungen
Der SPB100N06S2L-05 ist in einem TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB-Surface-Mount-Gehäuse verpackt. Das robuste Design bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften.
Das Produkt SPB100N06S2L-05 ist veraltet. Kunden werden empfohlen, unser Vertriebsteam über die Website zu kontaktieren, um Informationen zu Ersatz- oder Alternativmodellen zu erhalten.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrielle Automatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Das offizielle Datenblatt für den SPB100N06S2L-05 steht auf unserer Website zum Download bereit. Für detaillierte technische Informationen wird eine Betrachtung des Datenblatts empfohlen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SPB100N06S2L-05 auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich limitierte Angebot.
IND POWER BEAD 120NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 330NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 150NH 60A SHLD
SPB10N10G INFINEO
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
SPB100N03S2L-03G INFINEO
IND POWER BEAD 100NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IND POWER BEAD 130NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
VBSEMI P-TO263-3-2
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
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