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| Artikelnummer: | SPB100N06S2-05 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB100N |
| SPB100N06S2-05 Einzelheiten PDF [English] | SPB100N06S2-05 PDF - EN.pdf |




SPB100N06S2-05
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für Produkte von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SPB100N06S2-05 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Reihe von Infineon Technologies. Er wurde für vielfältige Anwendungen im Bereich der Leistungs- und Energieverwaltung entwickelt.
N-Kanal MOSFET
Drain-Source-Spannung von 55V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 100A bei 25°C
Maximale On-Widerstand von 4,7mΩ bei 80A, 10V
Maximale Gate-Ladung von 170nC bei 10V
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Sehr niedriges On-Widerstand für hohe Effizienz
Hohe Strombelastbarkeit
Großer Betriebstemperaturbereich
Vielseitig einsetzbar in der Energieund Leistungsverwaltung
TO-263-3, D2PAK (2 Beine + Backtab), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontage (SMD)
Das Produkt ist derzeit außer Lager.
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Netzteile
Motorantriebe
Beleuchtungsanwendungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle und ausführliche Datenblatt für den SPB100N06S2-05 ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
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INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
SPB100N03S2L-03G INFINEO
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 120NH 60A SHLD
VBSEMI P-TO263-3-2
INFINEON TO-263
SPB100N03S2-03G INF
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 100NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 130NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 330NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 150NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
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