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| Artikelnummer: | SPB100N03S2L-03 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8180 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB100N |
| SPB100N03S2L-03 Einzelheiten PDF [English] | SPB100N03S2L-03 PDF - EN.pdf |




SPB100N03S2L-03
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SPB100N03S2L-03 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus der OptiMOS™-Produktlinie von Infineon Technologies. Er zeichnet sich durch hervorragende Leistungseigenschaften aus und ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik geeignet.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 100A
Maximale On-Widerstand von 2,7 mΩ
Maximaler Gate-Charge von 220 nC
Gate-Source-Spannungsbereich von ±20V
Weites Betriebstemperatur von -55°C bis 175°C
Niedriger On-Widerstand für eine verbesserte Effizienz
Hohe Stromfähigkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Robustes Design für eine zuverlässige Leistung
Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektronik-Anwendungen
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Tab), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontagetechnologie
Entwickelt für effizientes thermisches Management
Der SPB100N03S2L-03 ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige oder alternative Modelle verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Website für weitere Informationen.
Netzteile
Motorkützungen
Industrielle Automatisierung
Telekommunikationsausrüstung
Erneuerbare Energiesysteme
Das umfassendste Datenblatt für den SPB100N03S2L-03 steht auf unserer Website zum Download bereit. Es wird empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
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INFINEON TO-263
IND POWER BEAD 230NH 61A SHLD
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 300NH 61A SHLD
IGBT Modules
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
IGBT Modules
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 215NH 61A SHLD
SPB100N03S2L-03G INFINEO
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
VBSEMI P-TO263-3-2
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 270NH 61A SHLD
SPB100N03S2-03G INF
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