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| Artikelnummer: | SPB100N04S2L-03 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 80A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8000 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 100A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB100N |
| SPB100N04S2L-03 Einzelheiten PDF [English] | SPB100N04S2L-03 PDF - EN.pdf |




SPB100N04S2L-03
Infineon Technologies (International Rectifier)
Der SPB100N04S2L-03 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies. Er wurde für Leistungsumwandlungs- und Steuerungsanwendungen entwickelt und bietet hohe Effizienz und Zuverlässigkeit.
N-Kanal-MOSFET
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 100A
Niedriger On-Widerstand von 3 mOhm
Hohe Leistungsabgabe von 300W
Weites Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Hervorragendes thermisches Management
Zuverlässige und robuste Leistung
Ideal für verschiedenste Leistungsanwendungen
Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Geräte-Gehäusetyp: PG-TO263-3-2
Thermische und elektrische Eigenschaften, geeignet für Power-Anwendungen
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Leistungsumwandlung und Steuerung
Motorantriebe
Wechselrichter
Netzteile
Industrieund Fahrzeuganwendungen
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MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
SPB100N03S2L-03G INFINEO
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 120NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 100NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 130NH 60A SHLD
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
IND POWER BEAD 150NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 30V 100A TO263-3
SPB100N03S2-03G INF
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
VBSEMI P-TO263-3-2
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2026/03/23
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SPB100N04S2L-03Infineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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