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| Artikelnummer: | SPB10N10 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 21µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-3-2 |
| Serie | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 7.8A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 50W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 426 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10.3A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SPB10N |
| SPB10N10 Einzelheiten PDF [English] | SPB10N10 PDF - EN.pdf |




SPB10N10
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Marke Infineon Technologies und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SPB10N10 ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Infineon Technologies, ausgestattet mit geringem On-Widerstand und hoher Strombelastbarkeit.
N-Kanal-MOSFET
100V Drain-Source-Spannung
10,3A Dauer-Drain-Strom
Geringer On-Widerstand von 170mΩ
Maximale Gate-Ladung von 19,4nC
±20V Gate-Source-Spannungsbereich
Oberflächenmontagegehäuse
Hervorragende Leistungsfähigkeit und Effizienz
Geeignet für verschiedene Leistungsumwandlungsund Steuerungsanwendungen
Zuverlässige und robuste Performance
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB-Gehäuse
Oberflächenmontagebauteil
Der SPB10N10 ist ein Auslaufmodell
Kunden wird empfohlen, unseren Vertrieb über unsere Webseite zu kontaktieren, um Informationen über gleichwertige oder alternative Produkte zu erhalten
Netzteile
Motorantriebe
Schaltregler
Industriesteuerungen
Das autoritative Datenblatt für den SPB10N10 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, dieses herunterzuladen.
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INFINEON TO-263
IND POWER BEAD 120NH 60A SHLD
INF TO263
IND POWER BEAD 150NH 60A SHLD
VBSEMI P-TO263-3-2
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3
SPB11N60C3 Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
SPB10N10G INFINEO
VBSEMI P-TO263-3-2
infineon TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IND POWER BEAD 100NH 60A SHLD
MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
IND POWER BEAD 330NH 60A SHLD
IND POWER BEAD 130NH 60A SHLD
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