Deutsch
| Artikelnummer: | IRFSL11N50APBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.4049 |
| 10+ | $3.0616 |
| 100+ | $2.5086 |
| 500+ | $2.1355 |
| 1000+ | $1.8011 |
| 2000+ | $1.711 |
| 5000+ | $1.6467 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-262-3 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 6.6A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1426 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFSL11 |
| IRFSL11N50APBF Einzelheiten PDF [English] | IRFSL11N50APBF PDF - EN.pdf |




IRFSL11N50APBF
Y-IC ist ein qualitätsorientierter Distributor von Vishay-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRFSL11N50APBF ist ein leistungsstarker N-Kanal-MOSFET von Vishay mit einer Drain-Source-Spannung von 500V und einem Dauer-Drain-Strom von 11A bei 25°C.
N-Kanal-MOSFET
500V Drain-Source-Spannung
11A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer On-Widerstand
Breiter Betriebstemperaturbereich (-55°C bis 175°C)
Herausragende Leistungsfähigkeit
Zuverlässige und langlebige Performance
Geeignet für eine Vielzahl von Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Der IRFSL11N50APBF ist in einem TO-262-3 Long-Leads-, I2PAK- oder TO-262AA-Gehäuse verpackt. Es handelt sich um eine Durchsteckmontage.
Der IRFSL11N50APBF ist ein aktives Produkt. Es können alternative Modelle erhältlich sein, weshalb Kunden unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen kontaktieren sollten.
Hochspannungsund Hochstromnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltende Netzteile
Industrielle und Automotive-Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRFSL11N50APBF ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IRFSL11N50APBF auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere zeitlich begrenzten Angebote.
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
MOSFET N-CH 200V 16A TO262
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
MOSFET N-CH 150V 23A TO262
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
MOSFET N-CH 200V 16A TO262
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
IRFSL23N20DPBF IR
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
VISHAY TO-263
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 24A TO262
MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
MOSFET N-CH 500V 11A TO-262
IRFSL3006 IR
MOSFET N-CH 150V 23A TO262
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/07/21
2024/10/30
2025/03/28
2025/01/13
IRFSL11N50APBFVishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|