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| Artikelnummer: | STF11N60M2-EP |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.6648 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP |
| Serie | MDmesh™ M2-EP |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 595mOhm @ 3.75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 390 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STF11 |
| STF11N60M2-EP Einzelheiten PDF [English] | STF11N60M2-EP PDF - EN.pdf |




STF11N60M2-EP
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N-Kanal 600V, 7,5A (Tc), 25W (Tc) Durchgangsloch-MOSFET im TO-220FP-Gehäuse
- N-Kanal MOSFET
- 600V Drain-Source-Spannung
- 7,5A Dauer-Drain-Strom
- 25W Leistungsaufnahme
- Durchgangsloch-Gehäuse TO-220FP
- Zuverlässige und robuste Leistung
- Effiziente Stromumwandlung
- Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
- Gehäuse: TO-220-3 Vollverpackung
- Geräteverpackung: TO-220FP
- Thermische Eigenschaften: 25W (Tc) Leistungsaufnahme
- Elektrische Eigenschaften: 600V Drain-Source-Spannung, 7,5A Dauer-Drain-Strom
- Dieses Produkt steht nicht vor dem Ausscheiden aus dem Sortiment.
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- Netzteile
- Motorantriebe
- Beleuchtung
- Industrie- und Unterhaltungselektronik
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