Deutsch
| Artikelnummer: | STF11N65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.411 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220FP |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 3.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 25W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 410 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STF11 |
| STF11N65M2 Einzelheiten PDF [English] | STF11N65M2 PDF - EN.pdf |




STF11N65M2
Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor von STMicroelectronics, einem führenden Hersteller hochwertiger elektronischer Bauteile. Wir sorgen dafür, dass unsere Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen erhalten.
Der STF11N65M2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-LeistungsmOSFET von STMicroelectronics. Er bietet außergewöhnliche Strombelastungsfähigkeit und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und -steuerung.
Hohe Drain-Source-Spannung von 650 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 7 A bei 25 °C
Geringer On-Widerstand von 670 mΩ
Schnelle Schaltfähigkeiten
Robust und zuverlässig in der Leistung
Effiziente Energieumwandlung
Geeignet für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Leichte Integration in leistungselektronische Designs
TO-220FP Gehäuse
Tubenverpackung
Durchkontaktierte Montage
Thermische und elektrische Eigenschaften, die für Leistungsanwendungen geeignet sind
Dieses Produkt ist aktuell verfügbar und steht nicht vor der Einstellung.
Entsprechende und alternative Modelle sind erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam.
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Beleuchtungsanstöße
Industriesteuerungen
Fahrzeugelektronik
Das aktuellste Datenblatt für den STF11N65M2 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für umfassende technische Informationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STF11N65M2 auf der Y-IC-Website einzuholen. Holen Sie sich jetzt ein Angebot ein oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und andere LeistungsmOSFET-Lösungen.
MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
ST TO-220F
ST TO-220F
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
MOSFET P-CH 60V 10A TO220FP
ST TO-220
MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
ST TO-220F
ST TO-220F
MOSFET N-CH 650V 9A TO220FP
ST TO-220-3
MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
MOSFET N-CH 525V 10A TO220FP
MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP
MOSFET N-CH 500V 8A TO220FP
ST 220F
ST TO-220F
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STF11N65M2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|