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| Artikelnummer: | STD13N65M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 650V 10A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.9104 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD13 |
| STD13N65M2 Einzelheiten PDF [English] | STD13N65M2 PDF - EN.pdf |




STD13N65M2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor der Produkte von STMicroelectronics. Wir bieten Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD13N65M2 ist ein N-Kanal MOSFET im DPAK-Gehäuse von STMicroelectronics. Er gehört zur MDmesh™ M2 Serie.
650 V Drain-Source-Spannung
10 A Dauer-Drainstrom
430 mOhm On-Widerstand
17 nC Gate-Ladung
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 150 °C
Hohe Spannungsfestigkeit
Niedriger On-Widerstand
Kompaktes DPAK-Gehäuse
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Rollenund Blisterverpackung (Tape & Reel)
DPAK-Gehäuse (TO-252-3)
2 Anschlüsse + Kühlerlasche
Der STD13N65M2 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige Modelle wie den STD14N65M2 und STD15N65M2. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
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