Deutsch
| Artikelnummer: | STD13N60DM2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.721 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 365mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 110W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 730 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 11A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD13 |
| STD13N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STD13N60DM2 PDF - EN.pdf |




STD13N60DM2
Y-IC ist ein qualitativer Distributor von Produkten der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STD13N60DM2 ist ein N-Kanal MOSFET aus der MDmesh™ DM2 Serie von STMicroelectronics. Er ist für Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen konzipiert.
Hohe Spannungsfestigkeit, bis zu 600V Drain-Source-Spannung
Geringer RDS(on) von 365mΩ
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsaufnahme von 110W
Effiziente Stromumwandlung und Steuerung
Zuverlässiger Betrieb bei Hochspannung
Kompakte Oberflächenmontage-Version (SMD)
Der STD13N60DM2 ist in einem DPAK (TO-252-3) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Er verfügt über 2 Anschlüsse sowie eine Kühlfahne für elektrische und thermische Verbindungen. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leitfähigkeit.
Der STD13N60DM2 ist ein aktiv beworbenes Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle wie den STD13N65DM2 und den STD13N55DM2. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam.
Schaltnetzteile
Motoransteuerungen
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das zuverlässigste Datenblatt für den STD13N60DM2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STD13N60DM2 auf unserer Webseite anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses zeitlich begrenzte Angebot.
ST TO-252
POWER TRANSISTORS
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
ST TO-252
ST TO-252
MOSFET N-CHANNEL 60V 80A DPAK
MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
ST TO-252-3
MOSFET N-CHANNEL 40V 80A DPAK
ST SOT252
IGBT Modules
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
MOSFET N-CH 500V DPAK
ST TO-252
MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
IGBT Modules
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/08/13
2025/01/27
2025/07/22
2025/02/16
STD13N60DM2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|