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| Artikelnummer: | RGW60TK65DGVC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $2.7847 |
| 200+ | $1.1121 |
| 450+ | $1.0746 |
| 900+ | $1.0567 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 37ns/114ns |
| Schaltenergie | 480µJ (on), 490µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 92 ns |
| Leistung - max | 72 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 84 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 33 A |
| Grundproduktnummer | RGW60 |
| RGW60TK65DGVC11 Einzelheiten PDF [English] | RGW60TK65DGVC11 PDF - EN.pdf |




RGW60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor ist ein führender Hersteller von Leistungssiliziumhalbleitern, und Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor qualitativ hochwertiger Produkte von Rohm. Kunden können sich auf Y-IC verlassen, um die besten Produkte und Dienstleistungen zu erhalten.
Der RGW60TK65DGVC11 ist ein Hochleistungs-Trench-Feldstop-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik und Steuerung optimiert.
650 V Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung
33 A Dauer-Kollektorstrom
120 A Puls-Kollektorstrom
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,9 V
Maximale Verlustleistung von 72 W
Schaltenergie beim Einschalten: 480 μJ, beim Ausschalten: 490 μJ
Standard-Eingangstyp
Gate-Ladung von 84 nC
Schaltverzögerungszeiten: 37 ns beim Einschalten, 114 ns beim Ausschalten
Rückrufzeit (Reverse Recovery Time): 92 ns
Hervorragende Schaltleistung
Hohe Strombelastbarkeit
Hohe Spannungsfestigkeit
Zuverlässiges und robustes Design
Geeignet für verschiedene Anwendungen in der Leistungselektronik
Der RGW60TK65DGVC11 ist in einem TO-3PFM-Gehäuse (TO-3 Power Flat Molded) verpackt. Es handelt sich um eine Durchsteckmontagevariante mit einem SC-93-3-Gehäuse.
Der RGW60TK65DGVC11 ist ein aktiviertes Produkt ohne aktuellen Auslaufplan. Kunden können auf der Y-IC-Website nach gleichwertigen oder alternativen Modellen suchen oder sich an unser Vertriebsteam wenden, um weitere Informationen zu erhalten.
Stromrichter
Motorantriebe
USV-Systeme (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Schweißgeräte
Induktionsheizungen
Hochfrequenz-Wechselstromversorgungen
Das aktuellste Datenblatt für den RGW60TK65DGVC11 steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, auf der Y-IC-Website Angebot anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Sonderangebot!
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