Rohm Semiconductor RGW00TS65GC11

Herstellerteilenummer

RGW00TS65GC11

Hersteller

Rohm Semiconductor ist eine Qualitätsmarke für Halbleiter und Y-IC ist ein zuverlässiger Distributor, der Kunden die besten Produkte und Services bietet.

Detaillierte Beschreibung

Der RGW00TS65GC11 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Es handelt sich um einen trench field stop IGBT, der für den Einsatz in verschiedenen Bereichen der Leistungselektronik entwickelt wurde.

Schlüsselmerkmale

- Spannung - Kollektor-Emittter-Durchbruch (Max): 650 V

- Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96 A

- Puls-Strom - Kollektor (Icm): 200 A

- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1,9 V @ 15 V, 50 A

- Max. Leistung: 254 W

- Schaltenergie: 1,18 mJ (Ein), 960 µJ (Aus)

- Eingangstyp: Standard

- Gate-Last: 141 nC

- Td (Ein/Aus) @ 25 °C: 52 ns / 180 ns

Wichtigste Vorteile

- Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit

- Geringer On-Zustand-Spannungsabfall und Schalteleistungen

- Geeignet für eine Vielzahl von Leistungselektrikanwendungen

Verpackung

- Gehäuse / Case: TO-247-3

- Befestigungsart: Durchsteckmontage

- Lieferanten-Gehäuse: TO-247N

Lebenszyklus

Der RGW00TS65GC11 wird für neue Designs nicht empfohlen. Kunden sollten sich an unser Verkaufsteam über die Webseite wenden, um Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen zu erhalten.

Schlüsselanwendungsbereiche

Der RGW00TS65GC11 IGBT eignet sich für den Einsatz in verschiedenen Leistungselektrikanwendungen wie Antriebssystemen, Stromversorgungen und Wechselrichtern.

Datenblatt

Das zuverlässigste Datenblatt für den RGW00TS65GC11 IGBT ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsinformationen zu erhalten.

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