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| Artikelnummer: | RGW80TK65DGVC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.0598 |
| 210+ | $1.2212 |
| 510+ | $1.1806 |
| 990+ | $1.161 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 44ns/143ns |
| Schaltenergie | 760µJ (on), 720µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 92 ns |
| Leistung - max | 81 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 110 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 39 A |
| Grundproduktnummer | RGW80 |
| RGW80TK65DGVC11 Einzelheiten PDF [English] | RGW80TK65DGVC11 PDF - EN.pdf |




RGW80TK65DGVC11
Y-IC ist ein hochwertiger Händler für Produkte von Rohm Semiconductor. Wir bieten unseren Kunden erstklassige Produkte und Serviceleistungen.
Der RGW80TK65DGVC11 ist ein Trench-Feldstop-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Er gehört zur RGW80-Serie und ist für vielfältige industrielle und leistungselektronische Anwendungen konzipiert.
Trench-Feldstop-IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit (VCES) von 650 V
Kollektor-Strom (IC) von 39 A
Pulsierter Kollektor-Strom (ICM) von 160 A
Geringer Einschaltspannungsverlust (VCE(on)) von 1,9 V bei 15 V, 40 A
Hohe Leistungsfähigkeit von 81 W
Hervorragende Leitund Schaltleistung
Hohe Energieeffizienz
Kompaktes und robustes Design
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Verpakt in einem TO-3PFM, SC-93-3 Durchgangslochgehäuse
Geeignet für Hochleistungsund Hochtemperaturanwendungen
Bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit
Das RGW80TK65DGVC11 ist ein aktives Produkt
Entsprechende oder alternative Modelle sind verfügbar. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen.
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