Deutsch

| Artikelnummer: | RGW80TK65GVC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.0209 |
| 10+ | $5.4113 |
| 100+ | $4.4337 |
| 500+ | $3.7743 |
| 1000+ | $3.2174 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 44ns/143ns |
| Schaltenergie | 760µJ (on), 720µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
| Serie | - |
| Leistung - max | 81 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 110 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 39 A |
| Grundproduktnummer | RGW80 |
| RGW80TK65GVC11 Einzelheiten PDF [English] | RGW80TK65GVC11 PDF - EN.pdf |




RGW80TK65GVC11
Rohm Semiconductor – Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Rohm Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der RGW80TK65GVC11 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) mit einer trench-Feldstopp-Struktur. Entwickelt für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
– Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (Max): 650 V
– Strom - Kollektor (Ic) (Max): 39 A
– Pulsstrom - Kollektor (Icm): 160 A
– Vce(on) (Max) bei Vge, Ic: 1,9 V bei 15 V, 40 A
– Max. Leistung: 81 W
– Schaltenergie: 760 μJ (Ein), 720 μJ (Aus)
– Eingangstyp: Standard
– Gate-Kapazität: 110 nC
– Td (Ein/Aus) bei 25 °C: 44 ns / 143 ns
Zuverlässige trench-Feldstopp-IGBT-Struktur
Niedrige On-Spannung und Schaltverluste
Geeignet für eine breite Palette von Leistungselektronik-Anwendungen
Gehäuse / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Geräteverpackung: TO-3PFM
Röhrenverpackung
Der RGW80TK65GVC11 ist ein aktives Produkt.
Derzeit sind keine direkten Äquivalente oder Alternativmodelle verfügbar.
Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über die Webseite für weitere Informationen zur Verfügbarkeit und Alternativen zu kontaktieren.
Leistungselektronik-Anwendungen, wie Wechselrichter, Konverter und Motorsteuerungen
Das offizielle Datenblatt für den RGW80TK65GVC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden sollten das Datenblatt herunterladen, um vollständige technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, ein Angebot für den RGW80TK65GVC11 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 80A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N
IGBT 650V 64A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G
IGBT TRNCH FIELD 650V 88A TO247G
IGBT 650V 81A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 51A TO247G
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
RGW80TK65GVC11Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|