Deutsch
| Artikelnummer: | FGAF40N60SMD |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.8038 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 40A |
| Testbedingung | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/92ns |
| Schaltenergie | 870µJ (on), 260µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 36 ns |
| Leistung - max | 115 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Gate-Ladung | 119 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 80 A |
| Grundproduktnummer | FGAF40 |
| FGAF40N60SMD Einzelheiten PDF [English] | FGAF40N60SMD PDF - EN.pdf |




FGAF40N60SMD
Y-IC ist ein Qualitätsvertriebspartner für Produkte der Marke onsemi und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FGAF40N60SMD ist ein Hochleistungs-Feldstop-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von onsemi. Er ist für den Einsatz in verschiedenen Leistungselektronik-Anwendungen konzipiert und zeichnet sich durch exzellente Schaltcharakteristika sowie hohe Leistungsfähigkeit aus.
Feldstop-IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von 600 V
Maximaler Kollektor-Strom von 80 A
Maximaler Puls-Kollektor-Strom von 120 A
Geringer Vce(on) von 1,9 V bei 40 A
Maximale Verlustleistung von 115 W
Schnelle Schaltzeiten: 12 ns Einschaltzeit und 92 ns Ausschaltzeit
Rückwärtslaufzeit von 36 ns
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Effiziente Stromumwandlung mit geringen Leitungsund Schaltverlusten
Zuverlässige und robuste Leistung in Hochleistungsanwendungen
Kompaktes und benutzerfreundliches Gehäusedesign
Breiter Temperaturbereich für vielseitigen Einsatz
Röhrchenverpackung
TO-3P-3 Vollverpackung
Gehäusetyp des Lieferanten: TO-3PF
Montageart: Durchsteckmontage
Das FGAF40N60SMD ist ein aktiv geführtes Produkt.
Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Netzteile
Motorsteuerungen
Wechselrichter
Schweißgeräte
Industrielle Automatisierung
Erneuerbare Energiesysteme
Das umfassendste Datenblatt für den FGAF40N60SMD finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und technische Informationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FGAF40N60SMD auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Sonderangebot zu profitieren.
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF
IGBT 600V 40A TO3PF
FGAF40N60UFDTU-NL FSC
IGBT, 90A, 330V, N-CHANNEL
IGBT 650V 30A TO-3PF
IGBT 330V 90A 223W TO3P
IGBT 650V 20A TO-3PF
FGA90N33T FAIRCHILD
650V 40A FS4 SA IGBT
FGA90N33ATD FSC
FGAF40N60UF FSC
IGBT 330V 90A 223W TO3P
IGBT 600V 40A TO3PF
FGA90N33 FSC
IGBT 330V 90A 223W TO3P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FSC TO-3P
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
FGAF40N60UFD FSC
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2025/06/18
2024/12/4
2024/11/4
2025/01/21
FGAF40N60SMDonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|