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| Artikelnummer: | FGAF20N60SMD |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.1841 |
| 10+ | $2.7226 |
| 30+ | $2.2856 |
| 90+ | $2.009 |
| 510+ | $1.8815 |
| 1200+ | $1.8227 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 600 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 20A |
| Testbedingung | 400V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 12ns/91ns |
| Schaltenergie | 452µJ (on), 141µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PF |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 26.7 ns |
| Leistung - max | 75 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3P-3 Full Pack |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Field Stop |
| Gate-Ladung | 64 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 40 A |
| Grundproduktnummer | FGAF20 |
| FGAF20N60SMD Einzelheiten PDF [English] | FGAF20N60SMD PDF - EN.pdf |




FGAF20N60SMD
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von onsemi-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der FGAF20N60SMD ist ein Hochleistungs-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), der für vielfältige Anwendungen in der Leistungselektronik entwickelt wurde. Er verfügt über eine Field-Stop-Technologie, die die Leistung und Effizienz verbessert.
600V Kollektor-Emitter-Spannungsdurchbruch
Maximal 40A Kollektor-Strom
Puls-Strom bis zu 60A
Maximal 1,7V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung bei 15V Gate-Spannung und 20A Kollektor-Strom
Maximal 75W Leistungsaufnahme
452μJ Einschalt-Schaltenergie, 141μJ Ausschalt-Schaltenergie
Standard Input-Typ
64nC Gate-Ladung
Einschalt-/Ausschaltverzögerung von 12ns/91ns bei 25°C
Reverse-Recovery-Zeit von 26,7ns
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Verbesserte Effizienz und Leistung durch Field-Stop-Technologie
Vielseitige Anwendungen in der Leistungselektronik
Zuverlässiges und robustes Design
Der FGAF20N60SMD ist in einer TO-3P-3 Vollpack-Through-Hole-Verpackung erhältlich. Dieses Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften für den IGBT.
Der FGAF20N60SMD ist ein veraltetes Produkt. Es sind jedoch gleichwertige und alternative Modelle erhältlich. Kunden werden empfohlen, unser Verkaufsteam über unsere Webseite für weitere Informationen zu passenden Ersatzprodukten zu kontaktieren.
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Schweißgeräte
Industrieund Haushaltsgeräte
Das aktuellste und zuverlässigste Datenblatt für den FGAF20N60SMD steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den FGAF20N60SMD auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder kontaktieren Sie unser Verkaufsteam, um mehr über dieses Produkt und weitere verfügbare Optionen zu erfahren.
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