Deutsch
| Artikelnummer: | NCP5111DR2G |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.2487 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 8-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 85ns, 35ns |
| Verpackung / Gehäuse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 2 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| Eingabetyp | Non-Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 600 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | Synchronous |
| Grundproduktnummer | NCP5111 |
| NCP5111DR2G Einzelheiten PDF [English] | NCP5111DR2G PDF - EN.pdf |




NCP5111DR2G
onsemi
Der NCP5111DR2G ist ein Dual-Kanal-Gate-Treiber-IC, der speziell für den Antrieb von IGBT- oder N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltern in Halbbrücken konzipiert wurde. Das Bauteil wird mit einer Versorgungsspannung von 10V bis 20V betrieben und liefert Hoch- und Tiefseiten-Gate-Treiber-Ausgänge mit Spitzenstromfähigkeiten von 250mA (Quelle) und 500mA (Senke).
Dual-Kanal-Gate-Treiber; Ansteuerung von IGBT- oder N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltern; Halbbrücken-Konfiguration; Spannungsbereich 10V bis 20V; Spitzenstrom von 250mA (Quelle) und 500mA (Senke).
Zuverlässige und effiziente Steuerung von Leistungsschaltern; Kompakte 8-SOIC-Gehäuse; Weitreichender Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 125°C; Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungsumwandlungsanwendungen.
Tape & Reel (TR); 8-SOIC-Gehäuse (0,154", 3,90mm Breite); Oberflächenmontage (SMD).
Das NCP5111DR2G ist ein aktives Produkt. Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, wie die Serien NCP5110 und NCP5112.
Leistungskonverter; Motorantriebe; Wechselrichter; Industrielle Automatisierung.
Das offizielle Datenblatt für den NCP5111DR2G steht auf unserer Website zum Download bereit. Es wird empfohlen, es für detaillierte Produktspezifikationen und Leistungsinformationen herunterzuladen.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den NCP5111DR2G auf unserer Website an und nutzen Sie unsere zeitlich begrenzten Sonderangebote.
IC REG LINEAR 1.5V 150MA 5TSOP
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ON 14+
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
IC DRIVER HI/LO 600V 10DFN
IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN
ON NA
IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
IC REG LDO DDR 1OUT 8DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10DFN
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
SINGLE 2 A HIGH-SPEED, LOW-SIDE
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
NCP511SN15 ON
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
IC REG LDO DDR 1OUT 8SOIC
2026/05/12
2026/05/8
2026/04/28
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel




2026/05/21
2026/05/20
2026/05/20
2026/05/20
NCP5111DR2Gonsemi |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|