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| Artikelnummer: | SI7726DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.4253 |
| 200+ | $0.1647 |
| 500+ | $0.1588 |
| 1000+ | $0.156 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie | SkyFET®, TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 3.8W (Ta), 52W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® 1212-8 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1765 pF @ 15 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 35A (Tc) |
| Grundproduktnummer | SI7726 |
| SI7726DN-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7726DN-T1-GE3 PDF - EN.pdf |




SI7726DN-T1-GE3
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke Vishay und bietet seinen Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der SI7726DN-T1-GE3 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET aus Vishays SkyFET®- und TrenchFET®-Serie. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand und eine hohe Leistungsfähigkeit aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet macht.
N-Kanal-MOSFET
MOSFET-Technologie (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 35 A bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand von 9,5 mΩ bei 10 A, 10 V
Hohe Gate-Schwellen-Spannung von 2,6 V bei 250 μA
Niedere Gate-Ladung von 43 nC bei 10 V
Hohe Leistungsfähigkeit und Effizienz
Zuverlässiger und langlebiger Betrieb
Vielfältig einsetzbar in verschiedenen Anwendungen
Tape-and-Reel-Verpackung (TR)
PowerPAK® 1212-8 Oberflächenmontagegehäuse
Maße: 12,00 mm x 12,00 mm
8-polige Konfiguration
Geeignet für Hochleistungsund Hochtemperaturanwendungen
Das Produkt SI7726DN-T1-GE3 ist aktiv erhältlich
Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie das SI7727DN-T1-GE3 und SI7728DN-T1-GE3
Für weitere Informationen zu Alternativmodellen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Webseite
Schaltnetzteile
Motorentreiber
Industrieund Unterhaltungselektronik
Automobilanwendungen
Das umfangreichste Datenblatt für den SI7726DN-T1-GE3 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den SI7726DN-T1-GE3 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere Sonderangebote.
SI7726DN-T1-E3 VISHAY
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
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MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
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