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| Artikelnummer: | STP60N3LH5 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | STripFET™ V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.4mOhm @ 24A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8 nC @ 5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 48A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP60N |
| STP60N3LH5 Einzelheiten PDF [English] | STP60N3LH5 PDF - EN.pdf |




STP60N3LH5
stmicroelectronics
Der STP60N3LH5 ist ein einzelner N-Kanal-MOSFET mit einer Spannungsfestigkeit von 30 V zwischen Drain und Source sowie einem Dauerstrom von 48 A bei 25 °C.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 30 V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 48 A bei 25 °C
STripFET™ V-Serie
Geringer On-Widerstand
Hohe Leistungsfähigkeit
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Durchkontaktierte Montage
TO-220-Gehäuse
3-Pin-Konfiguration
Das Produkt STP60N3LH5 ist veraltet. Bitte kontaktieren Sie unser Verkaufsteam über unsere Webseite für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen.
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