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| Artikelnummer: | STD60NF3LLT4 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 30V 60A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | DPAK |
| Serie | STripFET™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 100W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2210 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 4.5 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 60A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STD60N |
| STD60NF3LLT4 Einzelheiten PDF [English] | STD60NF3LLT4 PDF - EN.pdf |




STD60NF3LLT4
STMicroelectronics
Das STD60NF3LLT4 ist ein N-Kanal-MOSFET (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) in einem DPAK-Gehäuse (TO-252-3).
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Dauerhafter Drain-Strom (Id) bei 25 °C 60A
Maximale On-Widerstand (Rds(on)) bei 30A, 10V 9,5 mΩ
Maximale Gate-Ladung (Qg) bei 4,5V 40 nC
Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C
Hohe Strombelastbarkeit
Niedriger On-Widerstand für effiziente Stromumwandlung
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen
DPAK-Gehäuse (TO-252-3)
2 Anschlüsse + Kühlungsfahne
Oberflächenmontage (SMT)
Dieses Produkt ist veraltet.
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