Deutsch
| Artikelnummer: | STB28N60DM2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $16.566 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB28 |
| STB28N60DM2 Einzelheiten PDF [English] | STB28N60DM2 PDF - EN.pdf |




STB28N60DM2
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von stmicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB28N60DM2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET von stmicroelectronics, der die MDmesh™ DM2-Technologie nutzt. Er eignet sich ideal für anspruchsvolle Leistungsanwendungen.
– N-Kanal-MOSFET
– 600V Drain-Source-Spannung
– 21A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
– Maximaler On-Widerstand von 160mΩ
– Maximale Gate-Ladung von 34nC
– Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 150°C
– Oberflächenmontage Gehäuse (TO-263)
Hervorragende Leistung und Effizienz, hohe Zuverlässigkeit und Robustheit, geeignet für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen.
Der STB28N60DM2 ist in einem TO-263 (D2PAK) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische und elektrische Eigenschaften, mit einer 2-Leiter + Anschlusslasche Konfiguration.
Der STB28N60DM2 ist ein aktiv erhältliches Produkt. Momentan sind keine direkten Entsprechungen oder Alternativmodelle verfügbar. Für weitere Unterstützung kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
– Netzteile
– Motorantriebe
– Inverter
– Industrie- und Medizinische Geräte
Das wichtigste technische Datenblatt für den STB28N60DM2 steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STB28N60DM2 auf unserer Webseite anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot und nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Aktionsangebot.
STB270N04 ST
TO-263 ST
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
SWITCH TOGGLE
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
STB270N4F3-6 ST
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
SWITCH TOGGLE
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
SWITCH TOGGLE
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
SWITCH TOGGLE
STB25NS25Z ST
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
ST TO-263
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
STB270N04-1 ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel





2024/05/16
2025/06/30
2025/03/31
2025/07/16
STB28N60DM2STMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|