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| Artikelnummer: | STB26N60M2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.126 |
| 10+ | $3.0596 |
| 30+ | $3.0142 |
| 100+ | $2.7157 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK |
| Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165mOhm @ 10A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 169W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB26 |
| STB26N60M2 Einzelheiten PDF [English] | STB26N60M2 PDF - EN.pdf |




STB26N60M2
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N-Kanal 600V, 20A (Tc), 169W (Tc) Oberflächenmontage D2PAK
N-Kanal MOSFET
600V Drain-Source-Spannung
20A Dauer-Drainstrom
169W Leistungsdämpfung
Oberflächenmontagegehäuse D2PAK
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit
Effiziente Stromwandlung
Zuverlässige Leistungsfähigkeit
Tapetengepackt (CT)
TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlkörper), TO-263AB Gehäuse
Oberflächenmontage
Betriebstemperaturbereich: -55°C bis +150°C
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