Deutsch
| Artikelnummer: | STB26NM60ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1817 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54.6 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB26N |
| STB26NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STB26NM60ND PDF - EN.pdf |




STB26NM60ND
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der STB26NM60ND ist ein N-Kanal-MOSFET aus der FDmesh II Serie von STMicroelectronics. Er verfügt über eine hohe Spannungsfestigkeit von 600V zwischen Drain und Source sowie einen Dauer-Durchlassstrom von 21A bei 25°C.
– N-Kanal-MOSFET
– 600V Drain-Source-Spannung
– 21A Dauer-Durchlassstrom bei 25°C
– Geringer On-Widerstand von 175mΩ
– FDmesh II Technologie
– Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit
– Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
– Fortschrittliche FDmesh II Technologie für verbesserte Leistungsfähigkeit
– Gehäuse: D2PAK (TO-263-3, DPak)
– Verpackung: Cut Tape (CT)
– Thermische Eigenschaften: Max. Leistungsdissipation von 190W bei Tc
– Elektrische Eigenschaften: Vgs(th) (Max.) 5V bei 250A, Gate Charge (Qg) (Max.) 54,6nC bei 10V, Eingangskapazität (Ciss) (Max.) 1817pF bei 100V
Dieses Produkt ist nicht vom Auslauf bedroht. Es sind gleichwertige und alternative Modelle von STMicroelectronics verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
– Stromversorgung
– Motorsteuerung
– Industrie- und Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STB26NM60ND ist auf unserer Webseite verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte Informationen herunterzuladen.
Kunden können auf unserer Webseite ein Angebot anfordern. Holen Sie sich noch heute ein Angebot oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt!
ST TO-263
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
STB25NS25Z ST
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
STB270N4F3-6 ST
STB270N04 ST
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
STB270N04-1 ST
ST TO263
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB26NM60NDSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|