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| Artikelnummer: | STB28NM60ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.0727 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D²PAK (TO-263) |
| Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 11.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 190W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2090 pF @ 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62.5 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 23A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB28 |
| STB28NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STB28NM60ND PDF - EN.pdf |




STB28NM60ND
Y-IC ist ein renommierter Händler der Marke STMicroelectronics und bietet Kunden hochwertige Produkte und Dienstleistungen.
Der STB28NM60ND ist ein leistungsfähiger N-Kanal-MOSFET von STMicroelectronics. Er verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 600 V und einen Dauer-Drain-Strom von 23 A bei 25 °C. Dieses Bauteil eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
N-Kanal-MOSFET
600 V Drain-Source-Spannung
23 A Dauer-Drain-Strom
Nur 150 mΩ On-Widerstand
Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung
Verpackung in Tafeln und Rollen
Hervorragende Leistungsfähigkeit
Effiziente Stromumwandlung
Zuverlässige und langlebige Performance
Einfache Integration in Leistungsschaltungen
Der STB28NM60ND wird im Tape-and-Reel-Format geliefert. Das Gehäuse ist ein TO-263 (D2PAK) mit 2 Anschlussleitungen und einer Metalllasche. Das Gehäuse gewährleistet gute thermische Eigenschaften und elektrische Performance für Hochleistungsanwendungen.
Der STB28NM60ND befindet sich aktuell in Produktion und ist nicht von einer Einstellung bedroht. Es sind gleichwertige und alternative Modelle von STMicroelectronics verfügbar. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das aktuellste und umfassendste Datenblatt für den STB28NM60ND finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsmerkmale zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den STB28NM60ND auf unserer Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder informieren Sie sich über dieses Produkt und weitere ähnliche Angebote von STMicroelectronics.
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