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| Artikelnummer: | STB28NM50N |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.6524 |
| 10+ | $4.5448 |
| 30+ | $4.4732 |
| 100+ | $4.4014 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | MDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 150W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1735 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB28 |
| STB28NM50N Einzelheiten PDF [English] | STB28NM50N PDF - EN.pdf |




STB28NM50N
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von STMicroelectronics-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB28NM50N ist ein 500V, 21A (Tc) N-Kanal MOSFET in einem D2PAK (TO-263-3) Gehäuse. Er gehört zur MDmesh™ II Serie und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungsumwandlung und Steuerung.
500V Drain-Source-Spannung (Vdss)\n21A Dauer-Durchlassstrom (Id) bei 25°C\n158mOhm maximaler On-Widerstand (Rds(on)) bei 10,5A, 10V\n50nC maximale Gatestrückladung (Qg) bei 10V\n±25V Gate-Source-Spannung (Vgs)\n1735pF maximale Eingangskapazität (Ciss) bei 25V\n150W maximale Verlustleistung bei Tc
Hohe Spannungsund Strombelastbarkeit\nGeringer On-Widerstand für bessere Effizienz\nOptimierte Gatestrückladung für effizientes Schalten\nRobustes Design für zuverlässigen Betrieb
Der STB28NM50N ist in einem D2PAK (TO-263-3) Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit für Leistungsanwendungen.
Das Produkt STB28NM50N ist aktiv erhältlich. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle, wie den STB30NM50N und STB32NM50N. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Verkaufsteam über unsere Webseite.
Netzteile\nMotorsteuerungen\nWechselrichter\nIndustrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STB28NM50N steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden werden empfohlen, es für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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