Deutsch
| Artikelnummer: | STB25NM60ND |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.6466 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | D2PAK |
| Serie | FDmesh™ II |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 10.5A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 160W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STB25N |
| STB25NM60ND Einzelheiten PDF [English] | STB25NM60ND PDF - EN.pdf |




STB25NM60ND
Y-IC ist ein Qualitätsverteiler von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der STB25NM60ND ist ein leistungsstarker N-Kanal-Leistung-MOSFET aus der FDmesh™ II-Serie von STMicroelectronics. Er ist für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und -steuerung konzipiert.
600V Drain-Source-Spannung
21A Dauer-Drain-Strom bei 25°C
Geringer On-Widerstand von 160mΩ bei 10,5A, 10V
Schnelle Umschaltzeiten
Robustes und zuverlässiges Design
Hervorragende Leistungsfähigkeit und Effizienz
Geeignet für Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Verbesserte Wärmeverwaltung
Zuverlässige Leistung
Der STB25NM60ND ist in einem TO-263-3, D2PAK (2 Anschlüsse + Kühlfahne), TO-263AB Oberflächenmontagegehäuse verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Leistungsfähigkeit, ideal für Hochleistungsanwendungen.
Das Produkt STB25NM60ND ist veraltet. Es stehen jedoch gleichwertige oder alternative Modelle von STMicroelectronics zur Verfügung. Kunden werden empfohlen, sich auf unserer Website an unser Verkaufsteam zu wenden, um Empfehlungen für geeignete Ersatzprodukte zu erhalten.
Schaltnetzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Industrieund Unterhaltungselektronik
Das offizielle Datenblatt für den STB25NM60ND ist auf unserer Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden werden empfohlen, auf unserer Website Angebote für den STB25NM60ND anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
MOSFET N-CHANNEL 600V 20A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
ST TO263
MOSFET N-CH 500V 22A D2PAK
MOSFET N-CHANNEL 60V 25A D2PAK
STB270N04-1 ST
ST TO-263
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
STB270N4F3-6 ST
MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK
ST TO-263
ST TO-263
STB25NS25Z ST
MOSFET N-CH 500V 22A I2PAK
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STB270N04 ST
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2025/01/22
2025/03/28
2025/01/21
2025/02/10
STB25NM60NDSTMicroelectronics |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|