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| Artikelnummer: | STP110N8F7 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 80A TO220 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220 |
| Serie | STripFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 170W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3435 pF @ 40 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46.8 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 80 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 80A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STP110 |
| STP110N8F7 Einzelheiten PDF [English] | STP110N8F7 PDF - EN.pdf |




STP110N8F7
Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von Produkten der Marke STMicroelectronics. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Serviceleistungen.
Der STP110N8F7 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse. Er zeichnet sich durch einen niedrigen On-Widerstand, hohe Strombelastbarkeit und einen weiten Betriebstemperaturbereich aus.
N-Kanal-MOSFET
80V Drain-Source-Spannung
80A Dauer-Drain-Strom
Maximaler On-Widerstand von 7,5mΩ
Grosser Temperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz durch niedrigen On-Widerstand
Hohe Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Robustes Design für zuverlässige Leistung in harten Umgebungen
TO-220 Durchsteckgehäuse
Ideal für Hochleistungsund Hochstromanwendungen
Ausgezeichnete Wärmeableitungseigenschaften
Das Produkt ist derzeit eingestellt.
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