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| Artikelnummer: | STH210N75F6-2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | STMicroelectronics |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | H2Pak-2 |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 90A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11800 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 171 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 180A (Tc) |
| Grundproduktnummer | STH210 |
| STH210N75F6-2 Einzelheiten PDF [English] | STH210N75F6-2 PDF - EN.pdf |




STH210N75F6-2
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten von STMicroelectronics und bietet Kunden die besten Produkte und Services an.
Der STH210N75F6-2 ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungsmosfet von STMicroelectronics. Er zeichnet sich durch geringe On-Widerstände und hohe Stromkapazitäten aus, weshalb er sich für eine Vielzahl von Anwendungen im Bereich der Leistungsmanagement- und Schalttechnik eignet.
N-Kanal-Leistungsmosfet
Drain-Source-Spannung (VDS) 75V
Dauer-Drain-Strom (ID) 180A
Maximaler On-Widerstand (RDS(on)) 2,8 mΩ
Maximaler Gate-Ladung (Qg) 171 nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende Energieeffizienz dank niedrigen On-Widerständen
Hohe Strombelastbarkeit
Vielseitig einsetzbar für Bedienung und Schaltaufgaben
Zuverlässige Leistung bei großen Temperatureinsatzbereichen
Gehäuse: TO-263-3, DPak (2 Anschlüsse + Kühlkörper)
Verpackung: Tape & Reel (TR)
Thermische Eigenschaften: 300 W Leistungsaufnahme (Tc)
Elektrische Eigenschaften: N-Kanal-Leistungsmosfet
Der STH210N75F6-2 ist ein aktives Produkt, und es sind keine Pläne für eine Forschungsauslauf bekannt. Für Informationen zu gleichwertigen oder alternativen Modellen kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
Netzteile
Motorenansteuerung
Schaltregler
Industrielle und Automotive-Anwendungen
Das neueste Datenblatt für den STH210N75F6-2 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte Produktinformationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den STH210N75F6-2 auf unserer Webseite einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt unter https://www.y-ic.com.
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
STH210N75F6 STM
XTAL OSC TCXO 32.0000MHZ SNWV
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XTAL OSC TCXO 32.0000MHZ SNWV
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
XTAL OSC TCXO 38.4000MHZ SNWV
N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
TOOL CABLE TIE LOVOLT LT-HVY
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STH210N75F6-2STMicroelectronics |
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Zielpreis (USD)
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