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| Artikelnummer: | SCS110AGC |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $8.8264 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max) | 600 V |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AC |
| Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 0 ns |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-2 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur - Anschluss | 175°C (Max) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 200 µA @ 600 V |
| Strom - Richt (Io) | 10A |
| Kapazität @ Vr, F | 430pF @ 1V, 1MHz |
| Grundproduktnummer | SCS110 |
| SCS110AGC Einzelheiten PDF [English] | SCS110AGC PDF - EN.pdf |




SCS110AGC
Rohm Semiconductor
Der SCS110AGC ist eine Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Diode in einem TO-220-Gehäuse. Sie bietet schnelle Schaltzeiten und eine niedrige Vorwärts-Spannung.
Siliziumkarbid-(SiC-)Schottky-Diode
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Niedrige Vorwärts-Spannung
Verbesserte Effizienz im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden
Schnellere Schaltzeiten
Höhere Betriebstemperaturen möglich
TO-220-DIP-Gehäuse
Abmessungen: -
Pin-Konfiguration: -
Thermische und elektrische Eigenschaften: -
Der SCS110AGC ist ein veraltetes Produkt. Es sind vergleichbare oder alternative Modelle erhältlich, wie z. B. [Liste der Alternativmodelle]. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das offizielle Datenblatt für den SCS110AGC steht auf unserer Website zum Download bereit. Wir empfehlen, es für vollständige technische Details herunterzuladen.
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