Deutsch

| Artikelnummer: | RGW00TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.1601 |
| 10+ | $5.5639 |
| 100+ | $4.6065 |
| 500+ | $4.0113 |
| 1000+ | $3.6622 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 52ns/180ns |
| Schaltenergie | 1.18mJ (on), 960µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 95 ns |
| Leistung - max | 254 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 141 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 96 A |
| Grundproduktnummer | RGW00 |
| RGW00TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGW00TS65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGW00TS65DGC11
ROHM Semiconductor, ein Qualitätsdistributor dieser Marke, der Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen bietet.
Der RGW00TS65DGC11 ist ein Hochleistungs-Einzel-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von ROHM Semiconductor, entwickelt für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Trench Field Stop IGBT-Technologie
Spannungsfestigkeit von 650V
Hohe Strombelastbarkeit bis zu 96A (maximal)
Geringer Einschaltwiderstand (Vce(on)) von 1,9V
Schnelle Schaltzeiten mit Einschaltzeit von 52ns und Ausschaltzeit von 180ns
Breiter Betriebstemperaturbereich von -40°C bis 175°C
Hervorragende Effizienz und Zuverlässigkeit
Kompakte, platzsparende Bauweise
Geeignet für Hochleistungsanwendungen
Röhrenverpackung
TO-247-3 Gehäuse
Durchsteckmontage
Dieses Produkt wird für Neuentwicklungen nicht empfohlen
Es sind möglicherweise gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, kontaktieren Sie unser Vertriebsteam für weitere Informationen
Motorantriebe
Wechselrichter
USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Schweißgeräte
Industrielle Stromversorgungen
Das offizielle Datenblatt für den RGW00TS65DGC11 finden Sie auf unserer Webseite. Wir empfehlen, es herunterzuladen, um umfassende Produktinformationen zu erhalten.
Fordern Sie jetzt ein Angebot für den RGW00TS65DGC11 auf unserer Webseite an. Nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot und sparen Sie bei Ihrer Bestellung!
IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 27A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
IGBT 650V 96A TO247N
GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM
GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD
IGBT TRNCH FIELD 650V 30A TO3PFM
IGBT TRNCH FIELD 650V 96A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 40A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 50A TO247N
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel







2024/08/22
2025/02/23
2025/03/6
2024/11/13
RGW00TS65DGC11Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|