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| Artikelnummer: | RGTV60TS65GC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 60A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.7765 |
| 10+ | $4.2905 |
| 100+ | $3.5151 |
| 500+ | $2.9923 |
| 1000+ | $2.5509 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 33ns/105ns |
| Schaltenergie | 570µJ (on), 500µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Leistung - max | 194 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Paket | Tube |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 64 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 60 A |
| Grundproduktnummer | RGTV60 |
| RGTV60TS65GC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTV60TS65GC11 PDF - EN.pdf |




RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor ist ein renommierter Hersteller hochwertiger Halbleiter, und Y-IC ist ein vertrauenswürdiger Distributor ihrer Produkte, der sicherstellt, dass Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen erhalten.
Der RGTV60TS65GC11 ist ein einzelner Trench-Feld-Stop-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Er wurde für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen der Leistungselektronik konzipiert.
Trench-Feld-Stop-IGBT-Technologie
Sperrspannung zwischen Kollektor und Emitter von 650 V
Maximaler Kollektor-Strom von 60 A
Maximaler Puls-Kollektor-Strom von 120 A
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,9 V
Maximale Leistungsaufnahme von 194 W
Schaltenergie beim Einschalten von 570 μJ und beim Abschalten von 500 μJ
Standard-Eingangstyp
Gate-Ladung von 64 nC
Schaltverzögerungszeiten von 33 ns beim Einschalten und 105 ns beim Abschalten
Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 175 °C
Hohe Effizienz und niedrige Durchlassverluste
Robuste und zuverlässige Leistung
Geeignet für eine breite Palette von Leistungselektronik-Anwendungen
Verpackung in einer TO-247-3 Durchsteckmontage
Rohrverpackung
Dieses Produkt wird für neue Entwicklungen nicht empfohlen
Es können äquivalente oder alternative IGBT-Modelle von Rohm Semiconductor oder anderen Herstellern verfügbar sein
Kunden wird geraten, das Vertriebsteam von Y-IC für weitere Informationen zu verfügbaren Optionen zu kontaktieren
Leistungshalboperatoren
Motorantriebe
Schweißgeräte
USV-Anlagen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung)
Industrielle Stromversorgungen
Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den RGTV60TS65GC11 ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um vollständige technische Spezifikationen und Richtlinien einzusehen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den RGTV60TS65GC11 auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an oder erfahren Sie mehr über dieses Produkt und unsere weiteren Angebote.
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