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| Artikelnummer: | RGTV00TS65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 95A TO247N |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.7374 |
| 10+ | $6.0831 |
| 100+ | $5.0359 |
| 500+ | $4.3852 |
| 1000+ | $4.0035 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 41ns/142ns |
| Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 102 ns |
| Leistung - max | 276 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 104 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 95 A |
| Grundproduktnummer | RGTV00 |
| RGTV00TS65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTV00TS65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGTV00TS65DGC11
Y-IC ist ein führender Distributor hochwertiger Produkte der Marke Rohm Semiconductor und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der RGTV00TS65DGC11 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) aus dem Sortiment von Rohm Semiconductor. Er verfügt über ein Trench-Feldstopp-Design und eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen in der Leistungselektronik.
Trench-Feldstopp IGBT-Technologie
Kollektor-Emitter Durchbruchspannung (VCES) von 650 V
Kollektor-Strom (IC) von 95 A
Pulslaststrom am Kollektor (ICM) von 200 A
Niedrige Sättigungsspannung (VCE(ON)) von 1,9 V
Verlustleistung von 276 W
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Effiziente Stromumwandlung dank niedriger Leitungsund Schaltverluste
Zuverlässiger Betrieb bei Hochspannungsund Hochstromanwendungen
Vielseitig einsetzbar in verschiedenen Leistungselektronik-Designs
Verpackt in einem TO-247-3 (TO-247N) Durchsteckgehäuse
Für zuverlässigen Hochleistungsbetrieb ausgelegt
Geeignet für verschiedene thermische und elektrische Anforderungen
Dieses Produkt wird für neue Designs nicht empfohlen
Rohm Semiconductor kann gleichwertige oder alternative Modelle anbieten
Kunden werden gebeten, unser Vertriebsteam für weitere Informationen zu kontaktieren
Schaltende Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
USV-Systeme
Industrieelektronik
Das offiziellste Datenblatt für den RGTV00TS65DGC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden ermutigt, es für vollständige technische Details herunterzuladen.
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