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| Artikelnummer: | RGTV00TK65DGC11 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 45A TO3PFM |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $7.2178 |
| 10+ | $6.523 |
| 100+ | $5.4001 |
| 500+ | $4.7023 |
| 1000+ | $4.2931 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 41ns/142ns |
| Schaltenergie | 1.17mJ (on), 940µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
| Serie | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr) | 102 ns |
| Leistung - max | 94 W |
| Verpackung / Gehäuse | TO-3PFM, SC-93-3 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabetyp | Standard |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Gate-Ladung | 104 nC |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 200 A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 45 A |
| Grundproduktnummer | RGTV00 |
| RGTV00TK65DGC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTV00TK65DGC11 PDF - EN.pdf |




RGTV00TK65DGC11
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Rohm Semiconductor Produkten. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der RGTV00TK65DGC11 ist ein einzelner IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) von Rohm Semiconductor. Es handelt sich um einen Hochleistungs-Trench-Feldstopp-IGBT, der für verschiedenste Leistungskonversions- und Steuerungsanwendungen entwickelt wurde.
Trench-Feldstopp-IGBT-Technologie
Sperrvotkraft (Collector-Emitter) von 650V
45A Kollektorstrom
Pulsierter Kollektorstrom von 200A
Maximaler Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung von 1,9V
Maximale Verlustleistung von 94W
Schaltenergie beim Einschalten von 1,17mJ, beim Ausschalten 940µJ
Standard-Gate-Eingangstyp
Gate-Ladung von 104nC
Anund Abschaltverzögerungszeiten von 41ns bzw. 142ns
Rückwärts-Erholungszeit von 102ns
Hervorragende Schaltleistung
Hohe Strombelastbarkeit
Niedrige Leitungverluste
Breiter Betriebstemperaturbereich (-40°C bis 175°C)
Durchkontaktierte Montage für einfache Assemblys
Der RGTV00TK65DGC11 ist in einem TO-3PFM (SC-93-3) Durchkontaktgehäuse verpackt. Das Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften sowie elektrische Flexibilität für Leistungseinsätze.
Das RGTV00TK65DGC11 ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige oder alternative Modelle von Rohm Semiconductor. Bitte kontaktieren Sie unser Vertriebsteam über die Webseite für weitere Informationen.
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Systeme für erneuerbare Energien
Das maßgebliche Datenblatt für den RGTV00TK65DGC11 ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt für detaillierte technische Informationen herunterzuladen.
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