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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedEMG3T2R
Rohm Semiconductor
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siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Rohm Semiconductor EMG3T2R

Artikelnummer: EMG3T2R
Hersteller / Marke: LAPIS Technology
Teil der Beschreibung.: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3
Datenblätte:
1.EMG3T2R.pdf ···

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    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
    VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
    Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    Supplier Device-Gehäuse EMT3
    Serie -
    Widerstand - Emitterbasis (R2) -
    Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms
    Leistung - max 150mW
    Verpackung / Gehäuse SC-75, SOT-416
    Produkteigenschaften Eigenschaften
    Paket Tape & Reel (TR)
    Befestigungsart Surface Mount
    Frequenz - Übergang 250MHz
    DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 1mA, 5V
    Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
    Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
    Grundproduktnummer EMG3T2
    EMG3T2R Einzelheiten PDF [English] EMG3T2R PDF - EN.pdf
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    Works fine as a signal component in timing circuits. No issues so far.

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    2026/04/28

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    It works well in my FPGA signal processing setup. Performance is stable and meets the spec without issues so far.

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    LM5145RGYR works fine in a DC-DC power design. Efficiency is good, but layout needs to be carefully optimized.

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  • Powe***ive_

    Used the FF900R12IP4 in an automotive inverter project. Power handling is solid and thermal performance is stable under load.

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    2026/03/31

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    Perfect replacement part. My system worked immediately after installation.

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