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| Artikelnummer: | EMD29T2R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
| Teil der Beschreibung.: | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $0.1405 |
| 200+ | $0.0561 |
| 500+ | $0.0542 |
| 1000+ | $0.0534 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 50V, 12V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
| Transistor-Typ | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse | EMT6 |
| Serie | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10kOhms |
| Widerstand - Basis (R1) | 1kOhms, 10kOhms |
| Leistung - max | 120mW |
| Verpackung / Gehäuse | SOT-563, SOT-666 |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Paket | Tape & Reel (TR) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Frequenz - Übergang | 250MHz, 260MHz |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max) | 100mA, 500mA |
| Grundproduktnummer | EMD29 |
| EMD29T2R Einzelheiten PDF [English] | EMD29T2R PDF - EN.pdf |




EMD29T2R
LAPIS Semiconductor. Y-IC ist ein hochwertiger Distributor von LAPIS Semiconductor Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der EMD29T2R ist eine duale, vorgeblendete bipolare Transistor-Array in einem kleinen Oberflächenmontagegehäuse. Er enthält jeweils einen NPN- und einen PNP-Transistor mit integrierten Basis-Widerständen.
– 1 NPN-, 1 PNP-Transistor – Vorgeblendet (Dual) Transistoren – Kollektorstrom (Ic) Max: 100 mA, 500 mA – Collector-Emitter-Spannung (VCEO) Max: 50 V, 12 V – Übergangsfrequenz (fT): 250 MHz, 260 MHz – Basis-Widerstand (R1): 1 kΩ, 10 kΩ – Emitter-Basis-Widerstand (R2): 10 kΩ
– Integriertes vorgeblendet-transistorpaar für vereinfachte Schaltungsdesigns – Kleines Oberflächenmontagegehäuse für platzsparende Anwendungen – Hohe Übergangsfrequenz für Hochgeschwindigkeits-Schaltungen
Gehäuse: SOT-563, SOT-666 – Montagetype: Oberflächenmontage – Verpackung: Reels & Streifen (Tape & Reel, TR) – Leistung: 120 mW
Das EMD29T2R ist ein aktives Produkt. Es sind keine direkten Ersatzmodelle oder Alternativen erhältlich. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Webseite.
Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise – Logikgatter – Verstärkerschaltungen
Das aktuellste Datenblatt für den EMD29T2R ist auf unserer Webseite verfügbar. Kunden werden empfohlen, es herunterzuladen, um die neuesten Produktinformationen zu erhalten.
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EMD29T2RRohm Semiconductor |
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