Deutsch
| Artikelnummer: | IXTA36P15P |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | IXYS / Littelfuse |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 150V 36A TO263 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.234 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-263AA |
| Serie | PolarP™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 18A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 25 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Typ FET | P-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IXTA36 |
| IXTA36P15P Einzelheiten PDF [English] | IXTA36P15P PDF - EN.pdf |




IXTA36P15P
IXYS Corporation. Y-IC ist ein Qualitätsdistributor für IXYS-Produkte und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IXTA36P15P ist ein P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 150 V und einem Dauer-Drain-Strom von 36 A bei 25 °C. Er verfügt über einen niedrigen On-Widerstand von 110 mOhm und ist geeignet für eine Vielzahl von Leistungsmanagement- und Steuerungsanwendungen.
P-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung: 150 V
Dauer-Drain-Strom: 36 A bei 25 °C
Geringer On-Widerstand: 110 mOhm
Gate-Source-Spannung: ±20 V
Großer Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis 150 °C
Hohe Leistungsfähigkeit
Niedriger On-Widerstand für effiziente Energieumwandlung
Vielseitig einsetzbar in Leistungsmanagement und Steuerung
Zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich
Gehäuse: TO-263 (IXTA)
Verpackung: Nabenkarton
Thermische Eigenschaften: Maximale Leistung ° bei Tc von 300 W
Elektrische Eigenschaften: MOSFET-Technologie
Das IXTA36P15P ist ein aktives Produkt und steht nicht vor der Einstellung.
Es sind gleichwertige oder alternative Modelle erhältlich, beispielsweise IXTA46P15P und IXTA56P15P. Kunden können unser Vertriebsteam für weitere Informationen kontaktieren.
Leistungsmanagement
Motorsteuerung
Industrielle Automatisierung
Automobil Elektronik
Erneuerbare Energiewandlungsanlagen
Das offizielle Datenblatt für den IXTA36P15P ist auf unserer Website verfügbar. Wir empfehlen Kunden, es für detaillierte technische Spezifikationen herunterzuladen.
Kunden wird empfohlen, Angebote auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich ein Angebot, erfahren Sie mehr oder nutzen Sie unser zeitlich begrenztes Angebot.
MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
IXYS TO-263
IXTA36N30PTRL IXYS
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
MOSFET N-CH 300V 36A TO263
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263
MOSFET N-CH 36V 380A TO263-7
MOSFET N-CH 650V 34A TO263
MOSFET N-CH 200V 36A TO263
MOSFET N-CH 650V 34A TO263AA
IXTA3N100 IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO263
IXYS TO-263
MOSFET N-CH 150V 38A TO263
MOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
2026/04/20
2026/04/17
2026/04/8
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/07/21
2025/02/10
2025/01/24
2025/02/23
IXTA36P15PIXYS |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|