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| Artikelnummer: | IRFSL3207ZPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 75V 120A TO262 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.6384 |
| 200+ | $1.4083 |
| 500+ | $1.3581 |
| 1000+ | $1.3338 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-262 |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6920 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 75 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFSL3207 |
| IRFSL3207ZPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFSL3207ZPBF PDF - EN.pdf |




IRFSL3207ZPBF
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Produkten der Infineon Technologies (ehemals International Rectifier) und bietet Kunden die besten Produkte und Dienstleistungen.
Der IRFSL3207ZPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-Leistungstransistor (MOSFET) mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 75 V und einem Dauer-Drain-Strom von 120 A bei 25°C. Er zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand und schnelle Schaltzeiten aus, was ihn für eine Vielzahl von Anwendungen in der Energieumwandlung und Motorsteuerung geeignet macht.
– Hohe Strombelastbarkeit bis zu 120 A
– Geringer On-Widerstand von 4,1 mΩ
– Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
– Hohe Leistungsaufnahme von 300 W
– Breiter Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
– Gehäuse: TO-262 (IPak) mit langen Beinen
– Hervorragende thermische Leistungsfähigkeit und Energiehandhabung
– Effiziente Stromwandlung und Energierückgewinnung
– Zuverlässiges und langlebiges Design für anspruchsvolle Anwendungen
– Kompatibilität mit verschiedenen Steuerungs- und Schaltkreisen
Der IRFSL3207ZPBF ist in einem TO-262 (IPak) Gehäuse mit langen Beinen verpackt. Dieses Gehäuse bietet gute thermische Eigenschaften und elektrische Stabilität für Leistungsanwendungen.
Der IRFSL3207ZPBF ist ein aktives Produkt. Es gibt vergleichbare oder alternative Modelle von Infineon Technologies. Für weitere Informationen zur aktuellen Verfügbarkeit und Produktberatung kontaktieren Sie bitte unser Vertriebsteam über unsere Webseite.
– Netzteile und Schaltnetzteile
– Motorantrieb und Steuerungssysteme
– Wechselrichter und Umrichter
– Industrieautomation und Steuerungstechnik
– Fahrzeugtechnik und Elektronik
Das offizielle Datenblatt für den IRFSL3207ZPBF steht auf unserer Webseite zum Download bereit. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt zu prüfen, um detaillierte technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden können auf unserer Webseite ein Angebot für den IRFSL3207ZPBF anfordern. Erhalten Sie ein individuelles Angebot, informieren Sie sich über weitere Details oder nutzen Sie unsere zeitlich begrenzten Sonderaktionen, um den besten Preis und Service für diesen Hochleistungs-Leistungstransistor zu sichern.
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