Deutsch
| Artikelnummer: | IRFB3206GPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $5.9923 |
| 10+ | $5.1538 |
| 30+ | $4.6442 |
| 100+ | $4.2148 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFB3206 |
| IRFB3206GPBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB3206GPBF PDF - EN.pdf |




IRFB3206GPBF
Infineon Technologies ist ein hochwertiger Halbleiterhersteller, dessen Produkte Y-IC stolz vertreibt. Kunden können vertrauensvoll auf die besten Produkte und Serviceleistungen von Y-IC zählen.
Der IRFB3206GPBF ist ein Hochleistungs-N-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60 V und einem Dauer-Drain-Strom von 120 A bei 25 °C. Er gehört zur HEXFET®-Serie und zeichnet sich durch niedrigen On-Widerstand, hohe Schaltgeschwindigkeit und robuste thermische Eigenschaften aus.
N-Kanal MOSFET
60 V Drain-Source-Spannung
120 A Dauer-Drain-Strom bei 25 °C
Niedriger On-Widerstand von 3 mΩ bei 75 A, 10 V
Hochgeschwindigkeits-Schaltung
HEXFET®-Serie
Hervorragende thermische Leistung
Zuverlässige und langlebige Bauweise
Eignet sich für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen
Der IRFB3206GPBF ist in einem standardisierten TO-220AB-Durchsteckpaket verpackt. Das Gehäuse verfügt über eine 3-Pin-Konfiguration und ist für eine effiziente Wärmeableitung ausgelegt.
Der IRFB3206GPBF ist ein aktives Produkt und steht nicht vor dem Auslauf. Es gibt gleichwertige und alternative Modelle, wie den IRFB3206PbF und IRFB3207PbF. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über die Y-IC-Website.
Netzteile
Motorantriebe
Wechselrichter
Schaltende Leistungsquellen
Industrieund Automotive-Elektronik
Das aktuellste Datenblatt für den IRFB3206GPBF steht auf der Y-IC-Website zum Download bereit. Kunden werden ermutigt, das Datenblatt herunterzuladen, um umfassende technische Spezifikationen und Leistungsdaten zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IRFB3206GPBF auf der Y-IC-Website anzufordern. Fordern Sie jetzt ein Angebot an und profitieren Sie von unseren wettbewerbsfähigen Preisen und unserem fachkundigen Support.
IR TO-220
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
IRFB3207 IR
IRFB3207PBF. IR
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IR TO-220
IRFB3207Z IR
IR TO-220
IR TO220
IRFB31N20D IR
IR TO220
IR TO-220
IRFB3207ZG IR
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IRFB3206 IR
IRFB3206G IR
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel



2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
IRFB3206GPBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|