Deutsch
| Artikelnummer: | IRFB3206PBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.7588 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 75A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Befestigungsart | Through Hole |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 50 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Tc) |
| Grundproduktnummer | IRFB3206 |
| IRFB3206PBF Einzelheiten PDF [English] | IRFB3206PBF PDF - EN.pdf |




IRFB3206PBF
Infineon Technologies. Y-IC ist ein qualifizierter Distributor von Infineon-Produkten und bietet Kunden die besten Produkte und Services.
Der IRFB3206PBF ist ein N-Kanal-LeistungsmOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. Er gehört zur HEXFET®-Serie von Infineon und ist für Hochleistungs-Schaltanwendungen ausgelegt.
N-Kanal-MOSFET
Drain-Source-Spannung von 60V
Kontinuierlicher Drain-Strom von 120A
Maximale Ein-Schaltwiderstand von 3mΩ
Gate-Ladung von 170nC
Betriebstemperaturbereich von -55°C bis 175°C
Hervorragende On-Widerstand-Leistung für Hochleistungs-Schaltvorgänge
Zuverlässiges und robustes Design für anspruchsvolle Anwendungen
Effizientes Stromschalten für bessere Energieeinsparung
Der IRFB3206PBF ist in einem TO-220AB-Durchsteckgehäuse verpackt. Er verfügt über eine 3-Pin-Konfiguration und ist aufgrund seiner thermischen und elektrischen Eigenschaften für Hochleistungsanwendungen geeignet.
Das IRFB3206PBF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige Modelle wie den IRFB3207PBF und IRFB3208PBF, die ähnliche Spezifikationen aufweisen und als Alternativen genutzt werden können.
Hochleistungs-Schaltanwendungen
Netzteile
Motortreiber
Industrieelektronik
Das neueste Datenblatt für den IRFB3206PBF ist auf der Y-IC-Website verfügbar. Kunden wird empfohlen, das Datenblatt herunterzuladen, um detaillierte technische Informationen zu erhalten.
Kunden wird empfohlen, Angebote für den IRFB3206PBF auf der Y-IC-Website einzuholen. Fordern Sie jetzt ein Angebot an, um von unserem limitierten Sonderangebot zu profitieren.
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IRFB3206G IR
IRFB3207PBF. IR
IR TO-220
IRFB3206 IR
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
IR TO-220
IRFB3207ZG IR
IR TO-220
IRFB3207 IR
IR TO-220
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
IR TO220
IRFB31N20D IR
IR TO220
MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
IRFB3207Z IR
2026/03/31
2026/03/23
2026/03/20
2026/03/9
2026/03/4
2026/02/28
2026/02/3
2026/01/28
2026/01/19
2026/01/16
2026/01/9
2025/12/29
2025/12/25
2025/12/17
2025/12/10
2025/12/4
2025/11/25
2025/11/20
2025/11/11
2025/11/3
2025/10/30
2025/10/22
2025/10/16
2025/10/9
2025/09/28
2025/09/17
2025/09/9
2025/09/1
2025/08/25
2025/08/20
2025/07/3
2024/12/18
2023/06/21
2023/04/27
2022/07/1
2021/03/4
2020/09/10
2020/01/23
0 Artikel






2025/04/4
2025/01/21
2025/02/10
2024/06/14
IRFB3206PBFInfineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|