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| Artikelnummer: | IR2233SPBF |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $6.7177 |
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| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Spannungsversorgung | 10V ~ 20V |
| Supplier Device-Gehäuse | 28-SOIC |
| Serie | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ) | 90ns, 40ns |
| Verpackung / Gehäuse | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Paket | Tube |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber | 6 |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Produkteigenschaften | Eigenschaften |
|---|---|
| Logikspannung - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Eingabetyp | Inverting |
| High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) | 1200 V |
| Gate-Typ | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration | Half-Bridge |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) | 250mA, 500mA |
| Ladestrom | 3-Phase |
| Grundproduktnummer | IR2233 |
| IR2233SPBF Einzelheiten PDF [English] | IR2233SPBF PDF - EN.pdf |




IR2233SPBF
Y-IC ist ein Qualitätsdistributor von Infineon Technologies, einem führenden globalen Halbleiterhersteller. Wir bieten unseren Kunden die besten Produkte und Services.
Der IR2233SPBF ist ein 3-phasiger IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit sechs Hochstrom-Gate-Treiber-Ausgängen. Er wurde entwickelt, um IGBT- und N-Kanal-MOSFET-Leistungsschalter in verschiedenen Anwendungen der Energieumwandlung zu steuern.
3-phasiger Gate-Treiber
6 Hochstrom-Gate-Treiber-Ausgänge
Steuerung von IGBTund N-Kanal-MOSFET-Leistungsschaltern
Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V
Spitzenstrom von 250 mA (Quelle), 500 mA (Sink)
Invertierende Eingangsart
Maximaler Hochseitenspannung von 1200 V (Bootstrap)
Typischer Anstiegszeitraum von 90 ns, Fallzeit von 40 ns
Vielseitige 3-phasige Gate-Treiberlösung
Hochstrom-Gate-Treiber-Ausgänge für effiziente Leistungsschaltersteuerung
Breiter Versorgungsspannungsbereich für Flexibilität bei Energieumwandlungsdesigns
Schnelles Schalten für Hochfrequenz-Energieumwandlung
Integriertes Bootstrap-Diode für vereinfachte Hochseitengatespannungstechnik
Der IR2233SPBF ist in einem 28-poligen SOIC-Gehäuse (0,295 Zoll, 7,50 mm Breite) Surface-Mount-Package verpackt. Dieses Gehäuse bietet die erforderlichen thermischen und elektrischen Eigenschaften für einen zuverlässigen Betrieb.
Der IR2233SPBF ist ein aktives Produkt. Es gibt gleichwertige und alternative Gate-Treiber-Modelle von Infineon Technologies. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an unser Vertriebsteam über unsere Website.
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Das aktuellste und autoritativste Datenblatt für den IR2233SPBF finden Sie auf unserer Website. Wir empfehlen Kunden, das Datenblatt für detaillierte technische Spezifikationen und Designinformationen herunterzuladen.
Kunden werden empfohlen, Angebote für den IR2233SPBF auf unserer Website anzufordern. Holen Sie sich jetzt ein Angebot, um von unserem zeitlich begrenzten Angebot zu profitieren.
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